Коллекция Сравнение
HGT1S15N120C3S
Номер запчасти：
HGT1S15N120C3S
Классификация продуктов：
Дискретные полупроводниковые изделия
Производитель：
Harris Corporation
Описание：
IGBT 1200V 35A TO-263AB
Упаковка：
Bulk
Состояние ROHS：
Yes
Валюта：
USD
PDF:
Купить сразу Добавить в корзину
Запасы 2295
Минимум : 80
Количество
Стоимость единицы
Цены
80
3.8
304
Спецификация
  • Статус детали
    Active
  • Тип монтажа
    Surface Mount
  • Мощность - Максимальная
    164 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Корпус
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Поставщик Устройство Корпус
    TO-263AB
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
    1200 V
  • Ток коллектора (Ic) (макс.)
    35 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBT Тип
    -
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic
    3.5V @ 15V, 15A
  • Условия испытания
    -
  • Ток коллектора импульсный (Icm)
    120 A
  • Энергия переключения
    -
  • Заряд затвора
    100 nC
  • Td (включено/выключено) @ 25°C
    -
  • 840329636
  • 86-13510357183
  • sale@pcgchips.com
  • https://www.instagram.com/
  • sale@pcgchips.com
  • live:.cid.c2ddceada28ad5f9

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Количество: {{ val.quantity }}

Представлено

Он пуст.