Коллекция Сравнение
GT60N321(Q)
Номер запчасти：
GT60N321(Q)
Классификация продуктов：
Дискретные полупроводниковые изделия
Производитель：
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание：
IGBT 1000V 60A TO-3P
Упаковка：
Tube
Состояние ROHS：
Yes
Валюта：
USD
RFQ Добавить в список RFQ
Запасы 1600
Отправьте запрос, мы ответим немедленно.
Быстрый запрос
Спецификация
  • Статус детали
    Obsolete
  • Тип монтажа
    Through Hole
  • Мощность - Максимальная
    170 W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Корпус
    TO-3PL
  • Поставщик Устройство Корпус
    TO-3P(LH)
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
    1000 V
  • Ток коллектора (Ic) (макс.)
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • Время обратного восстановления (trr)
    2.5 µs
  • IGBT Тип
    -
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • Условия испытания
    -
  • Ток коллектора импульсный (Icm)
    120 A
  • Энергия переключения
    -
  • Td (включено/выключено) @ 25°C
    330ns/700ns
  • 840329636
  • 86-13510357183
  • sale@pcgchips.com
  • https://www.instagram.com/
  • sale@pcgchips.com
  • live:.cid.c2ddceada28ad5f9

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Количество: {{ val.quantity }}

Представлено

Он пуст.