Коллекция Сравнение
GT50N322A
Номер запчасти：
GT50N322A
Классификация продуктов：
Дискретные полупроводниковые изделия
Производитель：
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание：
IGBT 1000V 50A TO-3P
Упаковка：
Tray
Состояние ROHS：
Yes
Валюта：
USD
PDF:
Купить сразу Добавить в корзину
Запасы 1609
Минимум : 1
Количество
Стоимость единицы
Цены
1
5.54
5.54
50
2.91
145.5
100
2.66
266
500
2.21
1105
1000
2.19
2190
Спецификация
  • Статус детали
    Active
  • Тип монтажа
    Through Hole
  • Мощность - Максимальная
    156 W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Поставщик Устройство Корпус
    TO-3P(N)
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
    1000 V
  • Ток коллектора (Ic) (макс.)
    50 A
  • 输入类型
    Standard
  • Время обратного восстановления (trr)
    800 ns
  • IGBT Тип
    -
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • Условия испытания
    -
  • Ток коллектора импульсный (Icm)
    120 A
  • Энергия переключения
    -
  • Td (включено/выключено) @ 25°C
    -
  • 840329636
  • 86-13510357183
  • sale@pcgchips.com
  • https://www.instagram.com/
  • sale@pcgchips.com
  • live:.cid.c2ddceada28ad5f9

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Количество: {{ val.quantity }}

Представлено

Он пуст.