Коллекция Сравнение
GT50JR22(STA1,E,S)
Номер запчасти：
GT50JR22(STA1,E,S)
Классификация продуктов：
Дискретные полупроводниковые изделия
Производитель：
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание：
IGBT 600V 50A TO-3P
Упаковка：
Tube
Состояние ROHS：
Yes
Валюта：
USD
PDF:
Купить сразу Добавить в корзину
Запасы 1623
Минимум : 1
Количество
Стоимость единицы
Цены
1
6.54
6.54
25
3.84
96
100
3.2
320
500
2.73
1365
Спецификация
  • Статус детали
    Active
  • Тип монтажа
    Through Hole
  • Мощность - Максимальная
    230 W
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Поставщик Устройство Корпус
    TO-3P(N)
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
    600 V
  • Ток коллектора (Ic) (макс.)
    50 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBT Тип
    -
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 50A
  • Условия испытания
    -
  • Ток коллектора импульсный (Icm)
    100 A
  • Энергия переключения
    -
  • Td (включено/выключено) @ 25°C
    -
  • 840329636
  • 86-13510357183
  • sale@pcgchips.com
  • https://www.instagram.com/
  • sale@pcgchips.com
  • live:.cid.c2ddceada28ad5f9

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Количество: {{ val.quantity }}

Представлено

Он пуст.