Коллекция Сравнение
GT30N135SRA,S1E
Номер запчасти：
GT30N135SRA,S1E
Классификация продуктов：
Дискретные полупроводниковые изделия
Производитель：
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание：
IGBT 1350V 60A TO-247
Упаковка：
Tube
Состояние ROHS：
Yes
Валюта：
USD
PDF:
Купить сразу Добавить в корзину
Запасы 1633
Минимум : 1
Количество
Стоимость единицы
Цены
1
4.27
4.27
10
3.24
32.4
30
2.93
87.9
120
2.66
319.2
270
2.55
688.5
510
2.47
1259.7
1020
2.41
2458.2
2520
2.34
5896.8
Спецификация
  • Статус детали
    Active
  • Тип монтажа
    Through Hole
  • Мощность - Максимальная
    348 W
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Корпус
    TO-247-3
  • Поставщик Устройство Корпус
    TO-247
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
    1350 V
  • Ток коллектора (Ic) (макс.)
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBT Тип
    -
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 60A
  • Условия испытания
    300V, 60A, 39Ohm, 15V
  • Ток коллектора импульсный (Icm)
    120 A
  • Энергия переключения
    -, 1.3mJ (off)
  • Заряд затвора
    270 nC
  • Td (включено/выключено) @ 25°C
    -
  • 840329636
  • 86-13510357183
  • sale@pcgchips.com
  • https://www.instagram.com/
  • sale@pcgchips.com
  • live:.cid.c2ddceada28ad5f9

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Количество: {{ val.quantity }}

Представлено

Он пуст.