Коллекция Сравнение
GT30J121(Q)
Номер запчасти：
GT30J121(Q)
Классификация продуктов：
Дискретные полупроводниковые изделия
Производитель：
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание：
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Упаковка：
Tube
Состояние ROHS：
Yes
Валюта：
USD
PDF:
Купить сразу Добавить в корзину
Запасы 1715
Минимум : 1
Количество
Стоимость единицы
Цены
1
4.24
4.24
10
2.79
27.9
100
1.97
197
500
1.62
810
1000
1.53
1530
Спецификация
  • Статус детали
    Active
  • Тип монтажа
    Through Hole
  • Мощность - Максимальная
    170 W
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Поставщик Устройство Корпус
    TO-3P(N)
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
    600 V
  • Ток коллектора (Ic) (макс.)
    30 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBT Тип
    -
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic
    2.45V @ 15V, 30A
  • Условия испытания
    300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • Ток коллектора импульсный (Icm)
    60 A
  • Энергия переключения
    1mJ (on), 800µJ (off)
  • Td (включено/выключено) @ 25°C
    90ns/300ns
  • 840329636
  • 86-13510357183
  • sale@pcgchips.com
  • https://www.instagram.com/
  • sale@pcgchips.com
  • live:.cid.c2ddceada28ad5f9

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Количество: {{ val.quantity }}

Представлено

Он пуст.