Коллекция Сравнение
GT20N135SRA,S1E
Номер запчасти：
GT20N135SRA,S1E
Классификация продуктов：
Дискретные полупроводниковые изделия
Производитель：
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание：
IGBT 1350V 40A TO-247
Упаковка：
Tube
Состояние ROHS：
Yes
Валюта：
USD
Купить сразу Добавить в корзину
Запасы 1609
Минимум : 1
Количество
Стоимость единицы
Цены
1
3.77
3.77
10
2.84
28.4
30
2.57
77.1
120
2.33
279.6
270
2.23
602.1
510
2.16
1101.6
1020
2.1
2142
2520
2.04
5140.8
Спецификация
  • Статус детали
    Active
  • Тип монтажа
    Through Hole
  • Мощность - Максимальная
    312 W
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Корпус
    TO-247-3
  • Поставщик Устройство Корпус
    TO-247
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
    1350 V
  • Ток коллектора (Ic) (макс.)
    40 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBT Тип
    -
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Условия испытания
    300V, 40A, 39Ohm, 15V
  • Ток коллектора импульсный (Icm)
    80 A
  • Энергия переключения
    -, 700µJ (off)
  • Заряд затвора
    185 nC
  • Td (включено/выключено) @ 25°C
    -
  • 840329636
  • 86-13510357183
  • sale@pcgchips.com
  • https://www.instagram.com/
  • sale@pcgchips.com
  • live:.cid.c2ddceada28ad5f9

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Количество: {{ val.quantity }}

Представлено

Он пуст.