Коллекция Сравнение
GT10J312(Q)
Номер запчасти：
GT10J312(Q)
Классификация продуктов：
Дискретные полупроводниковые изделия
Производитель：
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание：
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Упаковка：
Tube
Состояние ROHS：
Yes
Валюта：
USD
PDF:
RFQ Добавить в список RFQ
Запасы 1600
Отправьте запрос, мы ответим немедленно.
Быстрый запрос
Спецификация
  • Статус детали
    Obsolete
  • Тип монтажа
    Through Hole
  • Мощность - Максимальная
    60 W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • Поставщик Устройство Корпус
    -
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
    600 V
  • Ток коллектора (Ic) (макс.)
    10 A
  • 输入类型
    Standard
  • Время обратного восстановления (trr)
    200 ns
  • IGBT Тип
    -
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • Условия испытания
    300V, 10A, 100Ohm, 15V
  • Ток коллектора импульсный (Icm)
    20 A
  • Энергия переключения
    -
  • Td (включено/выключено) @ 25°C
    400ns/400ns
  • 840329636
  • 86-13510357183
  • sale@pcgchips.com
  • https://www.instagram.com/
  • sale@pcgchips.com
  • live:.cid.c2ddceada28ad5f9

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Количество: {{ val.quantity }}

Представлено

Он пуст.